Ventajas clave de rendimiento
Conductividad térmica excepcional : La conductividad térmica a temperatura ambiente varía de 1000 a 2200 W/(m·K), con grados personalizados disponibles para cumplir con requisitos específicos (TC1200, TC1500, TC1800, TC2000, etc.), superando con creces los materiales tradicionales de disipación de calor como el cobre y el aluminio.
Excelente aislamiento eléctrico : con una resistividad tan alta como 10¹⁴–10¹⁶ Ω·cm, una constante dieléctrica de aproximadamente 5,68 y una pérdida dieléctrica tan baja como 6,2×10⁻⁸, se puede unir directamente a la superficie de dispositivos activos sin necesidad de una capa de aislamiento adicional.
Coincidencia de baja expansión térmica : con un coeficiente de expansión térmica tan bajo como 0,8–1,0 ppm/K, es altamente compatible con materiales semiconductores como Si, GaN y GaAs, lo que resuelve eficazmente los problemas de delaminación de la interfaz causados por la falta de coincidencia térmica.
Alta resistencia mecánica : dureza Vickers >8000 kg/mm², módulo de Young 850–1100 GPa, resistencia a la tracción 450–1100 MPa. Es resistente a altas temperaturas y corrosión, lo que permite un funcionamiento estable a largo plazo en entornos hostiles.
Diseño liviano : Con una densidad de solo 3,52 g/cm³, es liviano y contribuye a la miniaturización y portabilidad de los dispositivos electrónicos.
Aplicaciones
Centros de datos y computación de IA : integradas directamente en chips de entrenamiento de IA y paquetes de GPU/CPU de alto rendimiento, estas soluciones reducen significativamente las temperaturas de unión de los chips, abordan de manera efectiva los problemas de los "puntos calientes" bajo altas densidades de flujo de calor (que superan los 1000 W/cm²) y mejoran el rendimiento sostenido de carga alta.
Láseres semiconductores de alta potencia : se utilizan como disipadores de calor intermedios para diodos láser y barras láser, lo que reduce significativamente la resistencia térmica. Los casos de aplicación demuestran que la resistencia térmica de los chips láser que utilizan disipadores de calor de diamante se reduce en más del 81 % en comparación con los sustratos cerámicos tradicionales.
Dispositivos de RF y microondas : se utilizan en amplificadores de potencia de RF 5G/6G, módulos TR, sustratos compuestos de GaN sobre diamante y más, lo que permite una mayor densidad de potencia y un funcionamiento de mayor frecuencia, con una resistencia térmica reducida en aproximadamente un 30 %.
Electrónica de potencia y vehículos de nueva energía : se utiliza para la disipación de calor en módulos de potencia de banda ancha como SiC y GaN, controlando el aumento de temperatura durante la carga y descarga y mejorando la densidad de potencia y la confiabilidad del sistema.
Aeroespacial y Defensa : Se utiliza para la gestión térmica en entornos extremos, como disipadores de calor para sistemas electrónicos satelitales, componentes de radar de alta potencia y electrónica de naves espaciales.
Comunicaciones ópticas e interconexiones de alta velocidad : se utilizan para enfriar chips láser en módulos ópticos de 800G/1,6T, estabilizar la longitud de onda y la potencia de salida y reducir significativamente las tasas de error de bits.
Servicios de personalización
Nuestra empresa posee capacidades de fabricación de extremo a extremo que abarcan toda la cadena de producción de diamantes, desde el crecimiento del cristal hasta la fabricación, prueba y aplicación de obleas, y ofrece servicios de personalización integrales adaptados a las necesidades del cliente:
Tamaños personalizados : Ofrecemos productos a nivel de oblea en tamaños de 2, 3, 4 y 6 pulgadas, así como varias formas personalizadas (p. ej., 10 mm × 10 mm, 30 mm × 55 mm, etc.).
Conductividad térmica personalizada : podemos personalizar productos con varios niveles de conductividad térmica, incluidos TC1200, TC1500, TC1800 y TC2000, para cumplir con requisitos de aplicaciones específicas.
Espesor personalizado : el espesor varía de 200 a 1000 μm para adaptarse a diversos escenarios de embalaje.
Tratamiento de superficies : Ofrecemos servicios de esmerilado y pulido de precisión, con rugosidad superficial (Ra) tan baja como 1 nm o menos; También apoyamos el posprocesamiento, como metalización, modelado y perforación.
Sustratos compuestos : ofrecemos soluciones como materiales compuestos de diamante y cobre y sustratos compuestos de diamante y silicio, que equilibran la alta conductividad térmica con la compatibilidad con la expansión térmica.
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