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La fabricación exitosa de GaN-HEMT sobre sustratos de diamante policristalino de 2 pulgadas ayudará a aumentar la capacidad de los equipos centrales de telecomunicaciones y reducir el consumo de energía.

2026,05,12
​En los últimos años, a medida que ha aumentado el volumen de datos transmitidos a través de comunicaciones inalámbricas, ha habido una creciente necesidad de dispositivos capaces de operar a frecuencias más altas y con mayor potencia de salida, concretamente los GaN-HEMT. Sin embargo, el autocalentamiento durante el funcionamiento limita la salida del dispositivo, lo que reduce el rendimiento y la confiabilidad de la comunicación, como la falla en la transmisión de señales. Para abordar estos problemas, el Instituto de Tecnología de Osaka utilizó diamante, que tiene una conductividad térmica extremadamente alta, como sustrato para los GaN-HEMT y mejoró con éxito sus características de disipación de calor.

Si (silicio) y SiC (carburo de silicio) se usan comúnmente como sustratos para GaN-HEMT, pero el diamante tiene una conductividad térmica aproximadamente 12 veces mayor que el Si y de 4 a 6 veces mayor que el SiC, lo que reduce la resistencia térmica en 1/4 y 1/2, respectivamente.

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Hasta la fecha, ha sido difícil unir directamente capas de GaN sin soldadura ni materiales adhesivos debido al gran tamaño de grano y la alta rugosidad superficial (5–6 nm) del diamante policristalino. Sin embargo, al combinar la tecnología de pulido de sustratos de diamante, que reduce la rugosidad de la superficie a la mitad que los métodos convencionales, con una técnica para transferir capas de GaN de sustratos de Si a diamantes policristalinos, hemos unido con éxito capas de GaN directamente a diamantes policristalinos de 2 pulgadas.

Esto demuestra la viabilidad de las estructuras de GaN sobre diamantes policristalinos y la uniformidad de sus características de disipación térmica.

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Autor:

Mr. John

Correo electrónico:

info@jcbdiamond.com

Phone/WhatsApp:

++86 16697772169

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