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Si (silicio) y SiC (carburo de silicio) se usan comúnmente como sustratos para GaN-HEMT, pero el diamante tiene una conductividad térmica aproximadamente 12 veces mayor que el Si y de 4 a 6 veces mayor que el SiC, lo que reduce la resistencia térmica en 1/4 y 1/2, respectivamente.

Hasta la fecha, ha sido difícil unir directamente capas de GaN sin soldadura ni materiales adhesivos debido al gran tamaño de grano y la alta rugosidad superficial (5–6 nm) del diamante policristalino. Sin embargo, al combinar la tecnología de pulido de sustratos de diamante, que reduce la rugosidad de la superficie a la mitad que los métodos convencionales, con una técnica para transferir capas de GaN de sustratos de Si a diamantes policristalinos, hemos unido con éxito capas de GaN directamente a diamantes policristalinos de 2 pulgadas.
Esto demuestra la viabilidad de las estructuras de GaN sobre diamantes policristalinos y la uniformidad de sus características de disipación térmica.

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